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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Array › BSO200N03
BSO200N03

BSO200N03 - Infineon Technologies

Numero di parte
BSO200N03
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
BSO200N03 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
BSO200N03.pdf
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
3842 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0/pcs
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BSO200N03 Descrizione dettagliata

Numero di parte BSO200N03
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 13µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1010pF @ 15V
Potenza - Max 1.4W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore PG-DSO-8
Peso -
Paese d'origine -

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