BSO200N03S

BSO200N03S - Infineon Technologies

Numéro d'article
BSO200N03S
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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1 Day
Code de date
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4100 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
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BSO200N03S Description détaillée

Numéro d'article BSO200N03S
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 7A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 10µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 840pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 8.8A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PG-DSO-8
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Poids -
Pays d'origine -

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