BSO201SP H - Infineon Technologies

Numero di parte	BSO201SP H
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	88nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	9600pF @ 15V
Vgs (massimo)	±12V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 14.9A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-DSO-8
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
BSO200N03	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO	Dettagli
BSO200N03S	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO	Dettagli
BSO200N3S	INFINEON	BSO200N3S INFINEON SOP8 New Original Stocks	Dettagli
BSO200P03S	I	BSO200P03S I SOP-8 New Original Stocks	Dettagli
BSO200P03SHXUMA1	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO	Dettagli
BSO200P03SNTMA1	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO	Dettagli
BSO201SP	I	BSO201SP I SOP-8 New Original Stocks	Dettagli
BSO201SP H	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 20V 12A 8SOIC	Dettagli
BSO201SPHXUMA1	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 20V 12A 8SOIC	Dettagli
BSO201SPNTMA1	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 20V 14.9A 8-SOIC	Dettagli