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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › GP2M011A090NG
GP2M011A090NG

GP2M011A090NG - Global Power Technologies Group

Numero di parte
GP2M011A090NG
fabbricante
Global Power Technologies Group
Breve descrizione
MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
GP2M011A090NG Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
GP2M011A090NG.pdf
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
4237 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0/pcs
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GP2M011A090NG Descrizione dettagliata

Numero di parte GP2M011A090NG
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 84nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3240pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 416W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900 mOhm @ 5.5A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-3PN
Pacchetto / caso TO-3P-3, SC-65-3
Peso -
Paese d'origine -

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