GP2M011A090NG - Global Power Technologies Group

Número de pieza: GP2M011A090NG
Fabricante: Global Power Technologies Group
Breve descripción: MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza	GP2M011A090NG
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	900V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	11A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	84nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3240pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	416W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900 mOhm @ 5.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-3PN
Paquete / caja	TO-3P-3, SC-65-3
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
GP2M002A060CG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 600V 2A DPAK	Detalles
GP2M002A060FG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 600V 2A TO220F	Detalles
GP2M002A060HG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 600V 2A TO220	Detalles
GP2M002A060PG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 600V 2A	Detalles
GP2M002A065CG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK	Detalles
GP2M002A065FG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F	Detalles
GP2M002A065HG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220	Detalles
GP2M002A065PG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK	Detalles
GP2M004A060CG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 600V 4A DPAK	Detalles
GP2M004A060FG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 600V 4A TO220F	Detalles