FDMJ1028N

FDMJ1028N - Fairchild/ON Semiconductor

Numero di parte
FDMJ1028N
fabbricante
Fairchild/ON Semiconductor
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 3.2A 6-MICROFET
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
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1 Day
Codice data
New
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Prezzo di riferimento
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FDMJ1028N Descrizione dettagliata

Numero di parte FDMJ1028N
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 200pF @ 10V
Potenza - Max 800mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-WFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore 6-MicroFET (2x2)
Peso -
Paese d'origine -

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