FDMJ1028N

FDMJ1028N - Fairchild/ON Semiconductor

Numéro d'article
FDMJ1028N
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
Brève description
MOSFET 2N-CH 20V 3.2A 6-MICROFET
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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4228 pcs
Prix ​​de référence
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FDMJ1028N Description détaillée

Numéro d'article FDMJ1028N
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 200pF @ 10V
Puissance - Max 800mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-WFDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur 6-MicroFET (2x2)
Poids -
Pays d'origine -

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