FDM100-0045SP - IXYS

Numéro d'article	FDM100-0045SP
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	55V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.2 mOhm @ 80A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	ISOPLUS i4-PAC™
Paquet / cas	i4-Pac™-5
Poids	-
Pays d'origine	-