FDM100-0045SP Descripción detallada
Número de pieza |
FDM100-0045SP |
Estado de la pieza |
Obsolete |
Tipo de FET |
N-Channel |
Tecnología |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
55V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
100A (Tc) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) |
10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 1mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
100nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
- |
Vgs (Max) |
±20V |
Característica FET |
- |
Disipación de potencia (Máx) |
- |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
7.2 mOhm @ 80A, 10V |
Temperatura de funcionamiento |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje |
Through Hole |
Paquete de dispositivo del proveedor |
ISOPLUS i4-PAC™ |
Paquete / caja |
i4-Pac™-5 |
Peso |
- |
País de origen |
- |
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