FDM6296 - Fairchild/ON Semiconductor

Numero di parte	FDM6296
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	11.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2005pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5 mOhm @ 11.5A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-MLP (3.3x3.3)
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
FDM100-0045SP	IXYS	MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5	Dettagli
FDM15-06KC5	IXYS	MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC-5	Dettagli
FDM21-05QC	IXYS	MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5	Dettagli
FDM2452NZ	FAIRCHIL	FDM2452NZ FAIRCHIL QFN New Original Stocks	Dettagli
FDM2509NZ	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 20V 8.7A 2X5MLP	Dettagli
FDM3300NZ	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 20V 10A MCRFET	Dettagli
FDM3622	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP	Dettagli
FDM47-06KC5	IXYS	MOSFET N-CH 600V 47A I4-PAC-5	Dettagli
FDM606P	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET	Dettagli
FDM6296	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33	Dettagli