FDM2509NZ - Fairchild/ON Semiconductor

Numero di parte	FDM2509NZ
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 8.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1200pF @ 10V
Potenza - Max	800mW
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-WFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore	6-MicroFET (2x5)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
FDM100-0045SP	IXYS	MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5	Dettagli
FDM15-06KC5	IXYS	MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC-5	Dettagli
FDM21-05QC	IXYS	MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5	Dettagli
FDM2452NZ	FAIRCHIL	FDM2452NZ FAIRCHIL QFN New Original Stocks	Dettagli
FDM2509NZ	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 20V 8.7A 2X5MLP	Dettagli
FDM3300NZ	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 20V 10A MCRFET	Dettagli
FDM3622	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP	Dettagli
FDM47-06KC5	IXYS	MOSFET N-CH 600V 47A I4-PAC-5	Dettagli
FDM606P	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET	Dettagli
FDM6296	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33	Dettagli