FDMD8900

FDMD8900 - Fairchild/ON Semiconductor

Numero di parte
FDMD8900
fabbricante
Fairchild/ON Semiconductor
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 30V POWER
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
7500 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.9685/pcs
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FDMD8900 Descrizione dettagliata

Numero di parte FDMD8900
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 19A, 17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2605pF @ 15V
Potenza - Max 2.1W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 12-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore 12-Power3.3x5
Peso -
Paese d'origine -

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