FDMD8900

FDMD8900 - Fairchild/ON Semiconductor

Numéro d'article
FDMD8900
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V POWER
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
7500 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.9685/pcs
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FDMD8900 Description détaillée

Numéro d'article FDMD8900
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 19A, 17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2605pF @ 15V
Puissance - Max 2.1W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 12-PowerWDFN
Package de périphérique fournisseur 12-Power3.3x5
Poids -
Pays d'origine -

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