| Numero di parte | GB0610005 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| genere | - |
| Frequenza | - |
| Stabilità di frequenza | - |
| Tolleranza di frequenza | - |
| Capacità di carico | - |
| ESR (Equivalent Series Resistance) | - |
| Modalità operativa | - |
| temperatura di esercizio | - |
| Giudizi | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / caso | - |
| Dimensione / Dimensione | - |
| Altezza - Seduto (max) | - |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
GB01010EPL | EXSHINE | A SERIES OF SPECTRAL - RESPONSE SILICON PHOTOCELLS DESIGNED FOR UNIQUE PRODUCT APPLICATIONS | Dettagli |
|
GB01020EPL | EXSHINE | A SERIES OF SPECTRAL - RESPONSE SILICON PHOTOCELLS DESIGNED FOR UNIQUE PRODUCT APPLICATIONS | Dettagli |
 |
GB015Z101MA6N | AVX Corporation | CAP CER 100PF 50V X7R SMD | Dettagli |
 |
GB01SLT06-214 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 1A DO214AA | Dettagli |
|
GB01SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 1A | Dettagli |
 |
GB01SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC | Dettagli |
 |
GB01SLT12-252 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252 | Dettagli |
|
GB02505EPL | EXSHINE | A SERIES OF SPECTRAL - RESPONSE SILICON PHOTOCELLS DESIGNED FOR UNIQUE PRODUCT APPLICATIONS | Dettagli |
 |
GB02SHT01-46 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 100V 4A | Dettagli |
 |
GB02SHT03-46 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 300V 4A | Dettagli |
