| Numero di parte | DMG4N60SJ3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.3nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 532pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 41W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 2A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-251 |
| Pacchetto / caso | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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DMG4406LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO | Dettagli |
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DMG4407SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO | Dettagli |
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DMG4413LSS | DIODES | DMG4413LSS DIODES SO-8 New Original Stocks | Dettagli |
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DMG4413LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L | Dettagli |
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DMG4435SSS | DIODES | DMG4435SSS DIODES SO-8 New Original Stocks | Dettagli |
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DMG4435SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC | Dettagli |
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DMG4466SSS | DIODES | DMG4466SSS DIODES SO-8 New Original Stocks | Dettagli |
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DMG4466SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10A 8SO | Dettagli |
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DMG4466SSSL | DIODES | DMG4466SSSL DIODES SO-8 New Original Stocks | Dettagli |
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DMG4466SSSL-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10A 8SO | Dettagli |
