DMG4407SSS-13 - Diodes Incorporated

Numero di parte	DMG4407SSS-13
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9.9A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2246pF @ 15V
Vgs (massimo)	±25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.45W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 12A, 20V
temperatura di esercizio	-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
DMG4406LSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO	Dettagli
DMG4407SSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO	Dettagli
DMG4413LSS	DIODES	DMG4413LSS DIODES SO-8 New Original Stocks	Dettagli
DMG4413LSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L	Dettagli
DMG4435SSS	DIODES	DMG4435SSS DIODES SO-8 New Original Stocks	Dettagli
DMG4435SSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC	Dettagli
DMG4466SSS	DIODES	DMG4466SSS DIODES SO-8 New Original Stocks	Dettagli
DMG4466SSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 10A 8SO	Dettagli
DMG4466SSSL	DIODES	DMG4466SSSL DIODES SO-8 New Original Stocks	Dettagli
DMG4466SSSL-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 10A 8SO	Dettagli