DMG4407SSS-13 - Diodes Incorporated

Numéro d'article	DMG4407SSS-13
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	9.9A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	20.5nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2246pF @ 15V
Vgs (Max)	±25V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	1.45W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 12A, 20V
Température de fonctionnement	-50°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	8-SO
Paquet / cas	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
DMG4406LSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO	Détails
DMG4407SSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO	Détails
DMG4413LSS	DIODES	DMG4413LSS DIODES SO-8 New Original Stocks	Détails
DMG4413LSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L	Détails
DMG4435SSS	DIODES	DMG4435SSS DIODES SO-8 New Original Stocks	Détails
DMG4435SSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC	Détails
DMG4466SSS	DIODES	DMG4466SSS DIODES SO-8 New Original Stocks	Détails
DMG4466SSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 10A 8SO	Détails
DMG4466SSSL	DIODES	DMG4466SSSL DIODES SO-8 New Original Stocks	Détails
DMG4466SSSL-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 10A 8SO	Détails