DMG4407SSS-13 - Diodes Incorporated

Artikelnummer	DMG4407SSS-13
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	9.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	20.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2246pF @ 15V
Vgs (Max)	±25V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	1.45W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 12A, 20V
Betriebstemperatur	-50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-SO
Paket / Fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
DMG4406LSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO	Einzelheiten
DMG4407SSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO	Einzelheiten
DMG4413LSS	DIODES	DMG4413LSS DIODES SO-8 New Original Stocks	Einzelheiten
DMG4413LSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L	Einzelheiten
DMG4435SSS	DIODES	DMG4435SSS DIODES SO-8 New Original Stocks	Einzelheiten
DMG4435SSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC	Einzelheiten
DMG4466SSS	DIODES	DMG4466SSS DIODES SO-8 New Original Stocks	Einzelheiten
DMG4466SSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 10A 8SO	Einzelheiten
DMG4466SSSL	DIODES	DMG4466SSSL DIODES SO-8 New Original Stocks	Einzelheiten
DMG4466SSSL-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 10A 8SO	Einzelheiten