DMG4466SSS-13

DMG4466SSS-13 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DMG4466SSS-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DMG4466SSS-13 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
12500 pcs
Referenzpreis
USD 0.1366/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern DMG4466SSS-13

DMG4466SSS-13 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DMG4466SSS-13
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 478.9pF @ 15V
Vgs (Max) ±25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.42W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 10A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOP
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR DMG4466SSS-13