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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › DMG4435SSS-13
DMG4435SSS-13

DMG4435SSS-13 - Diodes Incorporated

Numero di parte
DMG4435SSS-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
DMG4435SSS-13 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
114264 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.2317/pcs
Il nostro prezzo
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DMG4435SSS-13 Descrizione dettagliata

Numero di parte DMG4435SSS-13
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 5V, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1614pF @ 15V
Vgs (massimo) ±25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 11A, 20V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso -
Paese d'origine -

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