DMG4435SSS-13

DMG4435SSS-13 - Diodes Incorporated

品番
DMG4435SSS-13
メーカー
Diodes Incorporated
簡単な説明
MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
DMG4435SSS-13 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
110811 pcs
参考価格
USD 0.2317/pcs
私達の価格
メールで送信:[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください DMG4435SSS-13

DMG4435SSS-13 詳細な説明

品番 DMG4435SSS-13
部品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 7.3A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 5V, 20V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 35.4nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1614pF @ 15V
Vgs(最大) ±25V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 16 mOhm @ 11A, 20V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOP
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
重量 -
原産国 -

関連製品 DMG4435SSS-13