DMG4N60SJ3

DMG4N60SJ3 - Diodes Incorporated

Numéro d'article
DMG4N60SJ3
Fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
MOSFET NCH 600V 3A TO251
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
38067 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.6916/pcs
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DMG4N60SJ3 Description détaillée

Numéro d'article DMG4N60SJ3
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 14.3nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 532pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 Ohm @ 2A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-251
Paquet / cas TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Poids -
Pays d'origine -

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