| Numero di parte | CDBJSC8650-G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 8A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 8A |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 650V |
| Capacità @ Vr, F | 560pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-220-2 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-2 |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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CDBJFSC101200-G | Comchip Technology | DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO | Dettagli |
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CDBJFSC10650-G | Comchip Technology | DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO | Dettagli |
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CDBJFSC5650-G | Comchip Technology | DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO | Dettagli |
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