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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Diodi - Raddrizzatori - Singoli › CDBJSC3650-G
CDBJSC3650-G

CDBJSC3650-G - Comchip Technology

Numero di parte
CDBJSC3650-G
fabbricante
Comchip Technology
Breve descrizione
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
CDBJSC3650-G Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
101012 pcs
Prezzo di riferimento
USD 1.63/pcs
Il nostro prezzo
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CDBJSC3650-G Descrizione dettagliata

Numero di parte CDBJSC3650-G
Stato parte Active
Tipo diodo Silicon Carbide Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 650V
Corrente - Rettificato medio (Io) 3A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 3A
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 650V
Capacità @ Vr, F 190pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-220-2 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220F
Temperatura operativa - Giunzione -55°C ~ 175°C
Peso -
Paese d'origine -

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