CDBJSC8650-G

CDBJSC8650-G - Comchip Technology

Número de pieza
CDBJSC8650-G
Fabricante
Comchip Technology
Breve descripción
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
CDBJSC8650-G Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Diodos - Rectificadores
- Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
91062 pcs
Precio de referencia
USD 1.8081/pcs
Nuestro precio
Enviar por correo electrónico: [email protected]

Por favor complete el siguiente formulario para solicitar un presupuesto para CDBJSC8650-G

CDBJSC8650-G Descripción detallada

Número de pieza CDBJSC8650-G
Estado de la pieza Active
Tipo de diodo Silicon Carbide Schottky
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) 650V
Corriente - promedio rectificado (Io) 8A (DC)
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si 1.7V @ 8A
Velocidad No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr) 0ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 100µA @ 650V
Capacitancia @ Vr, F 560pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / caja TO-220-2
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220-2
Temperatura de funcionamiento - unión -55°C ~ 175°C
Peso -
País de origen -

PRODUCTOS RELACIONADOS PARA CDBJSC8650-G