CDBJSC8650-G - Comchip Technology

номер части	CDBJSC8650-G
Статус детали	Active
Тип диода	Silicon Carbide Schottky
Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)	650V
Текущий - средний отрегулированный (Io)	8A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	1.7V @ 8A
скорость	No Recovery Time > 500mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)	0ns
Текущий - обратный утечек @ Vr	100µA @ 650V
Емкость @ Vr, F	560pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	TO-220-2
Пакет устройств поставщика	TO-220-2
Рабочая температура - Соединение	-55°C ~ 175°C
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
CDBJFSC101200-G	Comchip Technology	DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO	подробности
CDBJFSC10650-G	Comchip Technology	DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO	подробности
CDBJFSC3650-G	Comchip Technology	DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO	подробности
CDBJFSC5650-G	Comchip Technology	DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO	подробности
CDBJFSC8650-G	Comchip Technology	DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO	подробности
CDBJSC101200-G	Comchip Technology	DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO	подробности
CDBJSC101700-G	Comchip Technology	DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO	подробности
CDBJSC10650-G	Comchip Technology	DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO	подробности
CDBJSC3650-G	Comchip Technology	DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO	подробности
CDBJSC51200-G	Comchip Technology	DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO	подробности