| Numero di parte | CDM22010-650 SL |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1168pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | 30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta), 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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CDM22010-650 SL | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 10A 650V TO220 | Dettagli |
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CDM22011-600LRFP SL | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 11A 600V TO-220FP | Dettagli |
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CDM22012-800LRFP SL | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 800V 12A | Dettagli |
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CDM2205-800FP SL | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 5A 800V TO-220FP | Dettagli |
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CDM2206-800LR SL | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 800V 6A TO220 | Dettagli |
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CDM2208-800FP SL | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 8A 800V TO-220FP | Dettagli |
