CDM2206-800LR SL - Central Semiconductor Corp

Numero di parte	CDM2206-800LR SL
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24.3nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	950 mOhm @ 3A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220
Pacchetto / caso	TO-220-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
CDM22010-650 SL	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 10A 650V TO220	Dettagli
CDM22011-600LRFP SL	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 11A 600V TO-220FP	Dettagli
CDM22012-800LRFP SL	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 800V 12A	Dettagli
CDM2205-800FP SL	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 5A 800V TO-220FP	Dettagli
CDM2206-800LR SL	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 800V 6A TO220	Dettagli
CDM2208-800FP SL	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 8A 800V TO-220FP	Dettagli