CDM22010-650 SL - Central Semiconductor Corp

Artikelnummer	CDM22010-650 SL
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	10A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1168pF @ 25V
Vgs (Max)	30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	2W (Ta), 156W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	1 Ohm @ 5A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220
Paket / Fall	TO-220-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
CDM22010-650 SL	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 10A 650V TO220	Einzelheiten
CDM22011-600LRFP SL	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 11A 600V TO-220FP	Einzelheiten
CDM22012-800LRFP SL	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 800V 12A	Einzelheiten
CDM2205-800FP SL	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 5A 800V TO-220FP	Einzelheiten
CDM2206-800LR SL	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 800V 6A TO220	Einzelheiten
CDM2208-800FP SL	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 8A 800V TO-220FP	Einzelheiten