CDM22011-600LRFP SL - Central Semiconductor Corp

Artikelnummer	CDM22011-600LRFP SL
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	11A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	23.05nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	763pF @ 100V
Vgs (Max)	30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	25W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	360 mOhm @ 5.5A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220FP
Paket / Fall	TO-220-3 Full Pack
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
CDM22010-650 SL	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 10A 650V TO220	Einzelheiten
CDM22011-600LRFP SL	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 11A 600V TO-220FP	Einzelheiten
CDM22012-800LRFP SL	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 800V 12A	Einzelheiten