CDM22010-650 SL - Central Semiconductor Corp

номер части	CDM22010-650 SL
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	650V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	10A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	20nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1168pF @ 25V
Vgs (Макс.)	30V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	2W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	1 Ohm @ 5A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-220
Упаковка / чехол	TO-220-3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
CDM22010-650 SL	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 10A 650V TO220	подробности
CDM22011-600LRFP SL	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 11A 600V TO-220FP	подробности
CDM22012-800LRFP SL	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 800V 12A	подробности
CDM2205-800FP SL	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 5A 800V TO-220FP	подробности
CDM2206-800LR SL	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 800V 6A TO220	подробности
CDM2208-800FP SL	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 8A 800V TO-220FP	подробности