VP0106N3-G

VP0106N3-G - Microchip Technology

Numero di parte
VP0106N3-G
fabbricante
Microchip Technology
Breve descrizione
MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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2360 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.76/pcs
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VP0106N3-G Descrizione dettagliata

Numero di parte VP0106N3-G
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 250mA (Tj)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 60pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 Ohm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3
Pacchetto / caso TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Peso -
Paese d'origine -

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