VP0104N3-G - Microchip Technology

Numero di parte	VP0104N3-G
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	250mA (Tj)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	60pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-92-3
Pacchetto / caso	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
VP01-110TB	Carlo Gavazzi Inc.	LVL SEN OPTICAL 110VAC NC	Dettagli
VP01-230TB	Carlo Gavazzi Inc.	SEN LVL OPTICAL 230VAC NC	Dettagli
VP0104N3-G	Microchip Technology	MOSFET P-CH 40V 0.25A TO92-3	Dettagli
VP0106N3-G	Microchip Technology	MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3	Dettagli
VP0109N3-G	Microchip Technology	MOSFET P-CH 90V 0.25A TO92-3	Dettagli
VP01E	Carlo Gavazzi Inc.	SENS OPTICAL LIQUID LEVEL NPN NC	Dettagli
VP01EM	Carlo Gavazzi Inc.	SEN LVL OPTICAL MOD NPN NC	Dettagli
VP01EP	Carlo Gavazzi Inc.	SENS OPTICAL LIQUID LEVEL PNP NC	Dettagli
VP01EPM	Carlo Gavazzi Inc.	SEN LVL OPTICAL MOD PNP NC	Dettagli