VP0106N3-G

VP0106N3-G - Microchip Technology

Numéro d'article
VP0106N3-G
Fabricant
Microchip Technology
Brève description
MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
2360 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.76/pcs
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VP0106N3-G Description détaillée

Numéro d'article VP0106N3-G
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 250mA (Tj)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 60pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 Ohm @ 500mA, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-92-3
Paquet / cas TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Poids -
Pays d'origine -

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