VP0109N3-G - Microchip Technology

Numéro d'article	VP0109N3-G
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	90V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	250mA (Tj)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	60pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 500mA, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-92-3
Paquet / cas	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
VP01-110TB	Carlo Gavazzi Inc.	LVL SEN OPTICAL 110VAC NC	Détails
VP01-230TB	Carlo Gavazzi Inc.	SEN LVL OPTICAL 230VAC NC	Détails
VP0104N3-G	Microchip Technology	MOSFET P-CH 40V 0.25A TO92-3	Détails
VP0106N3-G	Microchip Technology	MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3	Détails
VP0109N3-G	Microchip Technology	MOSFET P-CH 90V 0.25A TO92-3	Détails
VP01E	Carlo Gavazzi Inc.	SENS OPTICAL LIQUID LEVEL NPN NC	Détails
VP01EM	Carlo Gavazzi Inc.	SEN LVL OPTICAL MOD NPN NC	Détails
VP01EP	Carlo Gavazzi Inc.	SENS OPTICAL LIQUID LEVEL PNP NC	Détails
VP01EPM	Carlo Gavazzi Inc.	SEN LVL OPTICAL MOD PNP NC	Détails