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VP0109N3-G - Microchip Technology

品番: VP0109N3-G
メーカー: Microchip Technology
簡単な説明: MOSFET P-CH 90V 0.25A TO92-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: VP0109N3-G PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 2925 pcs
参考価格: USD 0.84/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

VP0109N3-G 詳細な説明

品番	VP0109N3-G
部品ステータス	Active
FETタイプ	P-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	90V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	250mA (Tj)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	3.5V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	-
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	60pF @ 25V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	1W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	8 Ohm @ 500mA, 10V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ	TO-92-3
パッケージ/ケース	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
重量	-
原産国	-

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