VP0106N3-G

VP0106N3-G - Microchip Technology

Artikelnummer
VP0106N3-G
Hersteller
Microchip Technology
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
2360 pcs
Referenzpreis
USD 0.76/pcs
Unser Preis
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VP0106N3-G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer VP0106N3-G
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 250mA (Tj)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 60pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 8 Ohm @ 500mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-92-3
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gewicht -
Ursprungsland -

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