AON2801 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Numero di parte	AON2801
Stato parte	Active
Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 10V
Potenza - Max	1.5W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore	6-DFN-EP (2x2)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
AON1605	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 20V 0.7A 3DFN	Dettagli
AON1605_001	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 20V 0.7A 3DFN	Dettagli
AON1606	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN	Dettagli
AON1606_001	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN	Dettagli
AON1610	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 20V 4A 6DFN	Dettagli
AON1611	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 20V 4A 6DFN	Dettagli
AON1620	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 12V 4A 6DFN	Dettagli
AON1634	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 30V 4A 6DFN	Dettagli
AON2240	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 40V 8A 6DFN	Dettagli
AON2260	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N CH 60V 6A DFN 2x2B	Dettagli