| Numero di parte | AON1606_001 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 700mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 850nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 62.5pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 900mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 275 mOhm @ 400mA, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 3-DFN (1.0 x 0.60) |
| Pacchetto / caso | 3-UFDFN |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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AON1605 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 20V 0.7A 3DFN | Dettagli |
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AON1605_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 20V 0.7A 3DFN | Dettagli |
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AON1606 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN | Dettagli |
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AON1606_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN | Dettagli |
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AON1610 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 20V 4A 6DFN | Dettagli |
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AON1611 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 20V 4A 6DFN | Dettagli |
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AON1620 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 12V 4A 6DFN | Dettagli |
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AON1634 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 4A 6DFN | Dettagli |
