AON2801 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Número de pieza	AON2801
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 P-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	6.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 10V
Potencia - Max	1.5W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	6-WDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor	6-DFN-EP (2x2)
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
AON1605	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 20V 0.7A 3DFN	Detalles
AON1605_001	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 20V 0.7A 3DFN	Detalles
AON1606	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN	Detalles
AON1606_001	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN	Detalles
AON1610	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 20V 4A 6DFN	Detalles
AON1611	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 20V 4A 6DFN	Detalles
AON1620	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 12V 4A 6DFN	Detalles
AON1634	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 30V 4A 6DFN	Detalles
AON2240	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 40V 8A 6DFN	Detalles
AON2260	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N CH 60V 6A DFN 2x2B	Detalles