AON2801 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Numéro d'article	AON2801
État de la pièce	Active
FET Type	2 P-Channel (Dual)
FET Caractéristique	Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	6.5nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 10V
Puissance - Max	1.5W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	6-WDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur	6-DFN-EP (2x2)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
AON1605	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 20V 0.7A 3DFN	Détails
AON1605_001	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 20V 0.7A 3DFN	Détails
AON1606	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN	Détails
AON1606_001	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN	Détails
AON1610	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 20V 4A 6DFN	Détails
AON1611	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 20V 4A 6DFN	Détails
AON1620	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 12V 4A 6DFN	Détails
AON1634	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 30V 4A 6DFN	Détails
AON2240	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 40V 8A 6DFN	Détails
AON2260	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N CH 60V 6A DFN 2x2B	Détails