VS-GT75NP120N - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	VS-GT75NP120N
État de la pièce	Obsolete
Type d'IGBT	-
Configuration	Single
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	150A
Puissance - Max	446W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.08V @ 15V, 75A (Typ)
Courant - Coupure du collecteur (Max)	1mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce	9.45nF @ 30V
Contribution	Standard
Thermistance NTC	No
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	INT-A-PAK (3 + 4)
Package de périphérique fournisseur	INT-A-PAK
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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