| Artikelnummer | VS-GT75NP120N |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| IGBT-Typ | - |
| Aufbau | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 150A |
| Leistung max | 446W |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.08V @ 15V, 75A (Typ) |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 1mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 9.45nF @ 30V |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | INT-A-PAK (3 + 4) |
| Lieferantengerätepaket | INT-A-PAK |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
|
VS-GT100DA120U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 258A 893W SOT-227 | Einzelheiten |
 |
VS-GT100DA120UF | Vishay Semiconductor Diodes Division | OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG | Einzelheiten |
|
VS-GT100DA60U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 184A 577W SOT-227 | Einzelheiten |
|
VS-GT100LA120UX | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 134A 463W SOT-227 | Einzelheiten |
|
VS-GT100NA120UX | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 134A 463W SOT-227 | Einzelheiten |
|
VS-GT100TP120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK | Einzelheiten |
|
VS-GT100TP60N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 160A 417W INT-A-PAK | Einzelheiten |
|
VS-GT105LA120UX | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227 | Einzelheiten |
|
VS-GT105NA120UX | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227 | Einzelheiten |
|
VS-GT120DA65U | Vishay Semiconductor Diodes Division | OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG | Einzelheiten |
