VS-GB200TH120N - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	VS-GB200TH120N
État de la pièce	Active
Type d'IGBT	-
Configuration	Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	360A
Puissance - Max	1136W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.35V @ 15V, 200A
Courant - Coupure du collecteur (Max)	5mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce	14.9nF @ 25V
Contribution	Standard
Thermistance NTC	No
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	Double INT-A-PAK (3 + 4)
Package de périphérique fournisseur	Double INT-A-PAK
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
VS-GB05XP120KTPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	MODULE MTP SWITCH	Détails
VS-GB100DA60UP	Vishay Semiconductor Diodes Division	MODULE IGBT SOT-227	Détails
VS-GB100LH120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK	Détails
VS-GB100LP120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK	Détails
VS-GB100NH120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK	Détails
VS-GB100TH120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK	Détails
VS-GB100TH120U	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK	Détails
VS-GB100TP120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK	Détails
VS-GB100TP120U	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 150A 735W INT-A-PAK	Détails
VS-GB100TS60NPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 108A 390W INT-A-PAK	Détails