TK14G65W5,RQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TK14G65W5,RQ
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	13.7A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 690µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 300V
Vgs (Max)	±30V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 6.9A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	D2PAK
Paquet / cas	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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