TK14A45D(STA4,Q,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TK14A45D(STA4,Q,M)
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	450V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	14A
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	-
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	340 mOhm @ 7A, 10V
Température de fonctionnement	-
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-220SIS
Paquet / cas	TO-220-3 Full Pack
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	TK14A45D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 450V 14A TO-220SIS	Détails
	TK14A45DA(STA4,QM)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 450V 13.5A TO-220SIS	Détails