TK14G65W5,RQ

TK14G65W5,RQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
TK14G65W5,RQ
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
MOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
2500 pcs
Prezzo di riferimento
USD 1.1867/pcs
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TK14G65W5,RQ Descrizione dettagliata

Numero di parte TK14G65W5,RQ
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 13.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 690µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 300V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 6.9A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso -
Paese d'origine -

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