GT50J121(Q) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	GT50J121(Q)
État de la pièce	Obsolete
Type d'IGBT	-
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	50A
Courant - Collecteur pulsé (Icm)	100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.45V @ 15V, 50A
Puissance - Max	240W
Échange d'énergie	1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
Type d'entrée	Standard
Charge de porte	-
Td (marche / arrêt) à 25 ° C	90ns/300ns
Condition de test	300V, 50A, 13 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)	-
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	TO-3PL
Package de périphérique fournisseur	TO-3P(LH)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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GT50J102	TOSHIBA	GT50J102 TOSHIBA TO-3PL New Original Stocks	Détails
GT50J121(Q)	Toshiba Semiconductor and Storage	IGBT 600V 50A 240W TO3P LH	Détails