GT50J121(Q) - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza	GT50J121(Q)
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de IGBT	-
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	600V
Current - Collector (Ic) (Max)	50A
Corriente - colector pulsado (Icm)	100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.45V @ 15V, 50A
Potencia - Max	240W
Conmutación de energía	1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
Tipo de entrada	Standard
Cargo de puerta	-
Td (encendido / apagado) a 25 ° C	90ns/300ns
Condición de prueba	300V, 50A, 13 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inversa (trr)	-
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / caja	TO-3PL
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-3P(LH)
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
GT502F1K	US Sensor	NTC THERMISTOR 5K OHM 10% BEAD	Detalles
GT503J1K	US Sensor	NTC THERMISTOR 50K OHM 10% BEAD	Detalles
GT50J102	TOSHIBA	GT50J102 TOSHIBA TO-3PL New Original Stocks	Detalles
GT50J121(Q)	Toshiba Semiconductor and Storage	IGBT 600V 50A 240W TO3P LH	Detalles