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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › GT50J121(Q)
GT50J121(Q)

GT50J121(Q) - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
GT50J121(Q)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
GT50J121(Q) PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
GT50J121(Q).pdf
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3862 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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GT50J121(Q) detaillierte Beschreibung

Artikelnummer GT50J121(Q)
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 50A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 100A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 50A
Leistung max 240W
Energie wechseln 1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung -
Td (ein / aus) bei 25 ° C 90ns/300ns
Testbedingung 300V, 50A, 13 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-3PL
Lieferantengerätepaket TO-3P(LH)
Gewicht -
Ursprungsland -

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